A modern számítógépchipek rendszerint nanométeres nagyságrendű struktúrákból épülnek fel, és ezek csak bonyolult levilágítási eljárásokkal, lézersugárzás segítségével állíthatók elő. Az excimerlézerek által kibocsátott ibolyántúli (UV) lézersugárzással végzett hagyományos eljárás lassan eléri a határait. Ennél kisebb szerkezetméretek tíz nanométernél kisebb tartományon belül ezzel az eddig alkalmazott eljárással már nem generálhatók. Ezekhez a struktúrákhoz még rövidebb hullámhosszú levilágításra van szükség – extrém ultraibolya sugárzás (EUV) tartományú sugárzásra.

A ZEISS, a TRUMPF és a Fraunhofer Intézet az EUV-technológia fejlesztésében ért el áttörést, és ezzel megkönnyíti az eljárás ipari léptékű alkalmazását. Az együttműködéshez a ZEISS az optikai rendszerrel, TRUMPF pedig a világ legerősebb, pulzáló ipari lézerberendezésével járult hozzá: ezek nélkül lehetetlen lenne a nano méretű tranzisztorok gyártása. Az EUV-technológia felhasználásával a következő két évtizedben a korábbiaknál jóval nagyobb teljesítményű mikrochipeket lehet gyártani, s az eljárás másik előnye, hogy a gyártás hatékonysága is jobb, mint a korábbi módszereké.

A német Jövődíjakat 1997 óta osztják ki, és az elismerés mellé 250 ezer eurós jutalom is jár. A díjat az idén Frank-Walter Steinmeier államfő adta át.